改进的晶体管器件及其制造方法专利登记公告

专利名称：改进的晶体管器件及其制造方法

摘要：本发明提供一种改进的晶体管器件及其制造方法。在实施例中，制造晶体管器件的方法包括：提供半导体结构，其包括设置在半导体衬底上方且在成对的电介质间隙壁之间的栅极导体；各向异性蚀刻半导体衬底在电介质间隙壁的相对的侧的暴露区域，以在衬底中形成凹区域；氧化衬底在凹区域中的暴露表面，以在暴露表面上形成氧化物；去除凹区域底部的氧化物，而保留凹区域的侧壁上的氧化物；以及各向同性蚀刻衬底，使得凹区域底切该成对的电介质间隙壁。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010105862.2

专利申请（专利权）人：国际商业机器公司

专利发明（设计）人：约翰·C·阿诺德;华雪峰;兰加拉詹·贾根纳森;斯蒂芬·施米茨

主权项：一种制造晶体管器件的方法，包括：提供半导体结构，该半导体结构包括设置在半导体衬底上方且在成对的电介质间隙壁之间的栅极导体；各向异性蚀刻所述半导体衬底在所述电介质间隙壁的相对的侧的暴露区域，以在所述衬底中形成凹区域；氧化所述衬底在所述凹区域中的暴露表面，以在所述暴露表面上形成氧化物；从所述凹区域的底部去除所述氧化物，而保留所述凹区域的侧壁上的所述氧化物；以及各向同性蚀刻所述衬底，使得所述凹区域底切所述成对的电介质间隙壁。

专利地区：美国