一个精确的带隙基准源的双向微调方法和电路专利登记公告

专利名称：一个精确的带隙基准源的双向微调方法和电路

摘要：一个带隙基准电路有上调电阻器和下调电阻器，用于进行双向微调。PNP晶体管将基极和集电极接地，并将发射极连接到并联电阻器。一个差值电阻器驱动一个运算放大器的反相输入端，其驱动一个产生带隙基准电压Vbg的晶体管。传感电阻器连接Vbg到一个分支节点，其通过第一并联电阻器连接到非反相输入端。分支节点也通过第二并联电阻器连接到反相输入端。熔丝或开关启用上调和下调电阻器。上调电阻器与传感电阻器串联，下调电阻器与一个输出电阻器串联，其连接Vbg到基准电压Vref。电路可以专为一个典型过程而设计，因为双向微调允许提高或降

专利类型：发明专利

专利号：CN201010109797.0

专利申请（专利权）人：香港应用科技研究院有限公司

专利发明（设计）人：邝小飞;温锦泉;陈桂枝;王一涛;邝国权

主权项：一个双向微调基准电路，包括：一个运算放大器，其有第一输入和第二输入，运算放大器由第一输入和第二输入之间的电压差产生一个运算放大器输出；一个发电晶体管(generating??transistor)，其栅极接收运算放大器输出，并对应运算放大器输出在带隙基准节点上产生一个带隙基准电压；多个上调电阻器单元，其被串联连接在带隙基准节点和第一节点之间，多个上调电阻器单元有第一可变电阻，其由程序确定；一个传感电阻器，其被连接在第一节点和一个分支节点之间；第一并联电阻器，其被连接在分支节点和运算放大器的第一输入之间；第

专利地区：中国