以非真空工艺制作铜铟镓硒(硫)光吸收层的方法专利登记公告

专利名称：以非真空工艺制作铜铟镓硒(硫)光吸收层的方法

摘要：本发明是有关于一种以非真空工艺制作铜铟镓硒(硫)光吸收层的方法，其主要包括以下步骤：首先依据配方比例，调配不同平均粒径含IB、IIIA及VIA族元素的二成份、三成份或四成份粉末以形成含铜铟镓硒(硫)混合粉末，其中小尺寸颗粒平均粒径为大尺寸颗平均粒径的30％以下；其次在含铜铟镓硒(硫)混合粉末加入溶剂；接着将含铜铟镓硒(硫)浆料以非真空涂布法涂布在含下电极的基板上；再经过软烤形成含铜铟镓硒(硫)的光吸收前驱层，并将其置于含VIA族元素粉末的高温RTA炉中长晶，完成铜铟镓硒(硫)光吸收层的制作。本发明改善涂布

专利类型：发明专利

专利号：CN201010111484.9

专利申请（专利权）人：昆山正富机械工业有限公司

专利发明（设计）人：杨益郎;陈文仁;林群福

主权项：一种以非真空工艺制作铜铟镓硒(硫)光吸收层的方法，用以在非真空下一钼层上形成均匀光吸收层，其特征在于其包括以下步骤：(1)首先，依据配方比例，调配不同平均粒径含IB、IIIA及VIA族元素的二成份、三成份或四成份粉末以形成含铜铟镓硒(硫)混合粉末，其中小尺寸颗粒平均粒径为大尺寸颗平均粒径的30％以下；(2)其次在含铜铟镓硒(硫)混合粉末加入溶剂、NaI和界面活性剂搅拌形成含铜铟镓硒(硫)浆料；(3)接着将含铜铟镓硒(硫)浆料以非真空涂布法涂布在含下电极的基板上；(4)再经过软烤去除溶剂以形成含铜铟镓硒(硫

专利地区：江苏