多段式硫化镉薄膜沉积方法专利登记公告

专利名称：多段式硫化镉薄膜沉积方法

摘要：本发明是有关于一种多段式硫化镉薄膜沉积方法，至少包含以下步骤：将一含有光吸收层的基板置于一具有第一硫离子及第一镉离子含量的化学浴中，以在该基板的光吸收层上沉积一第一硫化镉膜；以及再将上述基板置于一具有第二硫离子及第二镉离子含量的另一化学浴中，以在该第一硫化镉膜上沉积一第二硫化镉膜，以使第一硫离子/第一镉离子浓度比和第二硫离子/第二镉离子浓度比的差异在10以上。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010111491.9

专利申请（专利权）人：昆山正富机械工业有限公司

专利发明（设计）人：陈文仁;杨益郎;林群福

主权项：一种多段式硫化镉薄膜沉积方法，其特征在于至少包含以下步骤：步骤一：将一含有光吸收层的基板置于一具有第一硫离子及第一镉离子含量的化学浴中，以在该基板的光吸收层上沉积一第一硫化镉膜；以及步骤二：再将上述基板置于一具有第二硫离子及第二镉离子含量的另一化学浴中，以在该第一硫化镉膜上沉积一第二硫化镉膜，以使第一硫离子/第一镉离子浓度比和第二硫离子/第二镉离子浓度比的差异在10以上。

专利地区：江苏