非真空制作铜铟镓硒和/或硫光吸收层的方法专利登记公告

专利名称：非真空制作铜铟镓硒和/或硫光吸收层的方法

摘要：本发明涉及一种铜铟镓硒和/或硫光吸收层的制作方法，特别是一种非真空制作铜铟镓硒和/或硫光吸收层的方法，包括：(1)依据配方比例，混合含IB、IIIA的二成份或三成份硒化物材料，形成原始混合粉末；混合粉末为纳米级的球形粉和薄片形粉；(2)添加溶剂搅拌，形成浆料；(3)将该浆料涂布在钼层上，软烤形成光吸收前驱层；(4)将含铜铟镓硒和/或硫前驱层的基板反置于含均匀洒布VI族元素的耐高温载板上，在快速退火热处理炉中退火长晶，形成光吸收层。避免使用危险的硒化氢；设备成本低；所形成的光吸收层致密，光吸收特性好，光电转

专利类型：发明专利

专利号：CN201010111495.7

专利申请（专利权）人：昆山正富机械工业有限公司

专利发明（设计）人：林群福;陈文仁;杨益郎

主权项：一种非真空制作铜铟镓硒和/或硫光吸收层的方法，其特征在于包括：(1)依据配方比例，混合含IB、IIIA的二成份或三成份硒化物材料，以形成原始混合粉末，且该IB族元素包括铜，该IIIA族元素包括铟或镓或铟镓混合材料；(2)添加溶剂至该最后混合粉末中并进行搅拌，形成含有IB、IIIA及VIA族元素的铜铟镓硒浆料；(3)将该浆料涂布在钼层上，软烤使溶剂挥发形成光吸收前驱层；(4)再将含铜铟镓硒和/或硫前驱层的基板反置于含均匀洒布VI族元素的耐高温载板上，一起在快速退火热处理炉中退火长晶，以形成含铜铟镓硒和/或硫

专利地区：江苏