一种用浸渍裂解法制备高密度再结晶碳化硅制品的方法专利登记公告

专利名称：一种用浸渍裂解法制备高密度再结晶碳化硅制品的方法

摘要：本发明公开了一种用浸渍裂解法制备高密度再结晶碳化硅制品的方法。它通过多次真空浸渍含碳化硅微粉和聚碳硅烷的浆料，使普通再结晶碳化硅制品的开口气孔大部分被填充。聚碳硅烷在高温下裂解并形成碳化硅结晶，保持了再结晶碳化硅制品高纯度的特点。用该方法制备的高密度再结晶碳化硅制品的体积密度为2.85～2.95g/cm3，开口气孔率3～5％，室温抗弯强度为110～130MPa，1400℃的高温抗弯强度为130～150MPa；还显著提高了制品的高温抗氧化能力，延长了使用寿命，可望扩大其作为高温结构材料的应用范围。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010114721.7

专利申请（专利权）人：湖南大学

专利发明（设计）人：肖汉宁;郭文明;高朋召

主权项：一种用浸渍裂解法制备高密度再结晶碳化硅制品的方法，包括以下步骤：(1)将密度为2.45g/cm3～2.70g/cm3的普通再结晶碳化硅制品清洗干净，并在100℃～120℃下干燥；(2)将分子量为1200～3000的聚碳硅烷溶解于二甲苯溶液中，再加入平均粒径为0.5微米～2微米的碳化硅微粉，配制成含碳化硅微粉、聚碳硅烷和二甲苯的浸渍浆料，其质量分数为：碳化硅微粉????????10～50份，聚碳硅烷????????????20～50份，二甲苯????????????????50～75份；(3)将经步骤(1)

专利地区：湖南