晶片加工用薄膜专利登记公告

专利名称：晶片加工用薄膜

摘要：本发明提供不增加材料成本或制造工序，能够以简单的结构，充分地抑制向粘接剂层的转印痕的发生的晶片加工用薄膜。将晶片加工用薄膜(10)的标记部(13a)预切割如下，即：在标记部的外周(13c)中，至少在晶片加工用薄膜(10)以辊状卷绕时与粘接剂层(12)重叠的外周转印区域(13d)中，从使粘接剂层(12)的中心部到所述外周转印区域(13d)的距离为最短的长度设为r时，外周转印区域(13d)的全长比半径为r的圆弧长度的外周转印区域的全长长，减轻施加于标记部(13a)的外周转印区域(13d)的应力，由此抑制转印痕

专利类型：发明专利

专利号：CN201010117459.1

专利申请（专利权）人：古河电气工业株式会社

专利发明（设计）人：野村芳弘;丸山弘光;木村和宽;盛岛泰正;石渡伸一

主权项：一种晶片加工用薄膜，其具备：脱模薄膜；层叠于所述脱模薄膜上的粘接剂层；层叠于所述粘接剂层上的粘着性薄膜，其特征在于，所述粘着性薄膜具有与环框对应的形状的标记部，所述标记部具备下述形状：在该标记部的外周中的所述晶片加工用薄膜以辊状卷绕时与所述粘接剂层重叠的外周转印区域中，当将从所述粘接剂层的中心部到所述外周转印区域的距离为最短的长度设为r时，至少所述外周转印区域的全长比半径为r的圆弧长度的外周转印区域的全长长。

专利地区：日本