半导体集成电路器件及其制造方法专利登记公告

专利名称：半导体集成电路器件及其制造方法

摘要：本发明提供一种半导体集成电路器件及其制造方法。该半导体集成电路器件包括使TDDB寿命得以改进的电容器元件。该半导体集成电路器件(1)包括：第一电极(4)，其包括相对于基板的平面突出的第一半导体层；侧表面绝缘膜(5)，其形成在第一电极(4)的侧表面的至少一部分上；上表面绝缘膜(6)，其形成在第一电极(4)和侧表面绝缘膜(5)上；以及第二电极(7)，其覆盖侧表面绝缘膜(5)和上表面绝缘膜(6)。第一电极(4)、侧表面绝缘膜(5)和第二电极(7)构成电容器元件。第一电极(4)与第二电极(7)之间的上表面绝缘膜(

专利类型：发明专利

专利号：CN201010118875.3

专利申请（专利权）人：恩益禧电子股份有限公司

专利发明（设计）人：古田博伺;白井隆之;名贺俊作

主权项：一种半导体集成电路器件，包括：第一电极，所述第一电极包括在基板上形成的第一半导体层；侧表面绝缘膜，所述侧表面绝缘膜形成在所述第一电极的侧表面的至少一部分上；上表面绝缘膜，所述上表面绝缘膜形成在所述第一电极上和所述侧表面绝缘膜上；以及第二电极，所述第二电极覆盖所述侧表面绝缘膜和所述上表面绝缘膜，其中：所述第一电极、所述侧表面绝缘膜和所述第二电极构成电容器元件；以及所述第一电极与所述第二电极之间的所述上表面绝缘膜的厚度大于所述第一电极与所述第二电极之间的所述侧表面绝缘膜的厚度。

专利地区：日本