半导体器件专利登记公告

专利名称：半导体器件

摘要：一种半导体器件，其包括氧化物半导体薄膜层(3)，所述氧化物半导体薄膜层(3)主要包括具有至少一个不同于(002)取向的取向的氧化锌。该氧化锌可以具有包括(002)取向和(101)取向的混合取向。可选地，该氧化锌可以具有包括(100)取向和(101)取向的混合取向。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010121239.6

专利申请（专利权）人：日本财团法人高知县产业振兴中心;卡西欧计算机株式会社

专利发明（设计）人：平尾孝;古田守;古田宽;松田时宜;平松孝浩

主权项：一种半导体器件，其包括氧化物半导体薄膜层(3)，所述氧化物半导体薄膜层(3)主要包括氧化锌，所述氧化锌具有包括(100)取向和(101)取向的混合取向，其中表示所述氧化锌的(101)取向的X射线衍射强度I(101)与表示所述氧化锌的(100)取向的X射线衍射强度I(100)之比I(101)/I(100)在0.5到5的范围内。

专利地区：日本