经外延涂覆的硅晶片的制造方法专利登记公告

专利名称：经外延涂覆的硅晶片的制造方法

摘要：经外延涂覆的硅晶片的制造方法，在该方法中提供多个至少在其正面上经抛光的硅晶片并以如下方式分别依次在外延反应器中单独地进行涂覆，将每一个所提供的硅晶片分别放置在位于外延反应器中的基座上，在第一步骤中仅以1至100slm的氢气流量于氢气氛中进行预处理，以及在第二步骤中在向氢气氛添加蚀刻介质的情况下以1至100slm的氢气流量及0.5至1.5slm的蚀刻介质流量在950至1050℃的平均温度下进行预处理，随后在其经抛光的正面上进行外延涂覆，并从外延反应器中取出，其中在预处理的第二步骤中以如下方式控制设置在基座上

专利类型：发明专利

专利号：CN201010125930.1

专利申请（专利权）人：硅电子股份公司

专利发明（设计）人：J·哈布雷希特

主权项：经外延涂覆的硅晶片的制造方法，在该方法中提供多个至少在其正面上经抛光的硅晶片并以如下方式分别依次在外延反应器中单独地进行涂覆，将每一个所提供的硅晶片分别放置在位于外延反应器中的基座上，在第一步骤中仅以1至100slm的氢气流量于氢气氛中进行预处理，以及在第二步骤中在向氢气氛添加蚀刻介质的情况下以1至100slm的氢气流量及0.5至1.5slm的蚀刻介质流量在950至1050℃的平均温度下进行预处理，随后在其经抛光的正面上进行外延涂覆，并从外延反应器中取出，其中在预处理的第二步骤中以如下方式控制设置在基座上

专利地区：德国