真空处理装置专利登记公告

专利名称：真空处理装置

摘要：本发明的课题为，对于利用具有游离基通过的多个贯通孔的隔壁板将真空反应室内分离成等离子体放电空间和基板处理空间、在等离子体放电空间中产生的游离基通过隔壁板的前述多个贯通孔导入基板处理空间、对配置在基板处理空间中的基板进行处理的装置，改善伴随隔壁板整体的更换的装置的运转成本。本发明利用隔壁本体和控制板形成隔壁板，从而解决了上述课题，其中，所述隔壁本体配有多个贯通孔，所述控制板配置在该隔壁本体的等离子体生成空间侧，在与配置在隔壁本体上的前述贯通孔对应的位置处具有游离基通过孔。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010126197.5

专利申请（专利权）人：佳能安内华股份有限公司

专利发明（设计）人：石桥启次;田中雅彦;熊谷晃;池本学;汤田克久

主权项：一种真空处理装置，利用成膜处理对基板进行处理，包括：反应室；板，所述板具有被构造和定位成允许从其中通过的多个贯通孔，并且所述板将所述反应室分离成等离子体生成空间和基板处理空间，在所述等离子体生成空间设置有等离子体生成电极，基板将被置于所述基板处理空间；其中，通过将等离子体生成气体输送到所述等离子体生成空间中以产生等离子体，由因此而生成的等离子体产生游离基，并且，将所述游离基通过所述板中的所述多个贯通孔输送到所述基板处理空间中，从而，在放置于所述基板处理空间中的基板上进行所述成膜处理，其中，所述板包括：分隔

专利地区：日本