半导体装置的驱动方法专利登记公告

专利名称：半导体装置的驱动方法

摘要：本发明的目的在于提供一种减少晶体管的阈值电压不均匀以及迁移率不均匀的影响的半导体装置的驱动方法。本发明为一种半导体装置的驱动方法，该半导体装置包括：n沟道型的具有导电性的晶体管；用来控制晶体管的栅极和第一端子之间的电连接的开关；电连接到晶体管的栅极和第二端子之间的电容元件；以及显示元件，其中，驱动方法包括：将相应于晶体管的阈值电压的电压及影像信号电压之和保持在电容元件中的第一期间；通过使开关成为导通状态，使相应于影像信号电压及阈值电压之和而保持在电容元件中的电荷经过晶体管放电的第二期间；以及在第二期间后经

专利类型：发明专利

专利号：CN201010126274.7

专利申请（专利权）人：株式会社半导体能源研究所

专利发明（设计）人：木村肇

主权项：一种半导体装置的驱动方法，该半导体装置包括：具有n型导电性的晶体管；用来控制所述晶体管的栅极和所述晶体管的第一端子之间的导电状态的开关；电连接到所述晶体管的栅极和所述晶体管的第二端子之间的电容元件；以及显示元件，其中，所述半导体装置的驱动方法包括：在第一期间，将相应于所述晶体管的阈值电压的电压及图像信号电压的总和保持在所述电容元件中；在第二期间，通过使所述开关成为导电状态，使得相应于所述图像信号电压及所述阈值电压的总和而保持在所述电容元件中的电荷经过所述晶体管放电；以及在所述第二期间后的第三期间，经过所述

专利地区：日本