半导体开关装置专利登记公告

专利名称：半导体开关装置

摘要：本发明以提供抑制弊病并能对应大电流化的半导体开关装置为目的。该半导体开关装置具备电力控制部，该电力控制部包括：具有第1开关元件和第1二极管的降压斩波电路；具有第2开关元件和第2二极管的升压斩波电路；以及电感。该第1开关元件的一端与高电压电源侧连接，另一端与该第1二极管的阴极连接，该第1二极管的阳极与低电压电源侧连接。该第2二极管的阴极与该第1开关元件的一端连接，阳极与该第2开关元件的一端连接，该第2开关元件的另一端与该第1二极管的阳极连接。在第1开关元件的另一端与第2开关元件的一端之间连接有该电感。负载与

专利类型：发明专利

专利号：CN201010131823.X

专利申请（专利权）人：三菱电机株式会社

专利发明（设计）人：高良正行;田畑光晴

主权项：一种半导体开关装置，其特征在于：具备电力控制部，该电力控制部具有：降压斩波电路，该降压斩波电路具有第1开关元件和第1二极管；升压斩波电路，该升压斩波电路具有第2开关元件和第2二极管；以及电感，所述第1开关元件的一端与高电压电源侧连接，所述第1开关元件的另一端与所述第1二极管的阴极连接，所述第1二极管的阳极与低电压电源侧连接，所述第2二极管的阴极与所述第1开关元件的一端连接，所述第2二极管的阳极与所述第2开关元件的一端连接，所述第2开关元件的另一端与所述第1二极管的阳极连接，所述电感的一端与所述第1开关元件

专利地区：日本