电沉积制备三维硅光子晶体的方法专利登记公告

专利名称：电沉积制备三维硅光子晶体的方法

摘要：电沉积制备三维硅光子晶体的方法，它涉及一种三维硅光子晶体的制备方法。本发明解决现有三维硅光子晶体制备方法填充率低、成本高、无法在室温下实现的问题。本发明的方法：一、制备胶体晶体模板；二、配置电解液；三、在胶体晶体模板上填充还原硅；四、化学腐蚀法去除胶体晶体模板。本发明电沉积方法的填充率达100%，能产生完全光子带隙。得到的三维硅光子晶体具有反蛋白石结构。本发明方法工艺简单，操作方便，设备简单，成本降低，在常温下即可实现。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010134372.5

专利申请（专利权）人：哈尔滨工业大学

专利发明（设计）人：李垚;赵九蓬;刘昕;张一;辛伍红;孟祥东

主权项：电沉积制备三维硅光子晶体的方法，其特征在于电沉积制备三维硅光子晶体的方法是通过以下步骤实现的：一、制备胶体晶体模板：将经清洗的导电基片浸入体积浓度为0.1%～0.3%的聚苯乙烯微球乳液中，在55～65℃下静置64～80小时后得到自组装胶体晶体模板，其中，以与聚苯乙烯微球乳液液面呈80°～90°的角度将导电基片浸入聚苯乙烯微球乳液，聚苯乙烯微球乳液中PS微球的粒径大小分布为200nm～700nm，单分散度＜5%；二、配置电解液：在H2O和O2含量均小于1ppm的条件下，将SiCl4加入离子液体1-丁基,1-

专利地区：黑龙江