超分子结构5,5＇-硫基双水杨酸插层紫外吸收材料及其制备方法专利登记公告

专利名称：超分子结构5,5＇-硫基双水杨酸插层紫外吸收材料及其制备方法

摘要：本发明提供了一种超分子结构5，5′-硫基双水杨酸插层紫外吸收材料及其制备方法。超分子结构5，5′-硫基双水杨酸插层材料，简写为ZnAl-TDSA-LDHs，其分子式为[Zn2+1-xAl3+x(OH)2]x+(C14H8O6S)2-x/2·mH2O。该紫外吸收材料的制备方法是以水滑石ZnAl-NO3-LDHs为前体，采用离子交换法将5，5′-硫基双水杨酸插入到ZnAl-NO3-LDHs层间，组装得到晶相结构良好、性能优异的ZnAl-TDSA-LDHs。该ZnAl-TDSA-LDHs材料对250～400nm

专利类型：发明专利

专利号：CN201010136201.6

专利申请（专利权）人：北京化工大学

专利发明（设计）人：李殿卿;崔国静

主权项：一种超分子结构5，5′-硫基双水杨酸插层紫外吸收材料，简称ZnAl-TDSA-LDHs，其分子式为[Zn2+1-xAl3+x(OH)2]x+(C14H8O6S)2-x/2·mH2O，其中Zn2+/Al3+摩尔比为2～3∶1，x的值随摩尔数而变化，0≤x≤1，m为层间结晶水分子数，0.65≤m≤0.90。

专利地区：北京