一种芯片复位方法、芯片和双倍速率存储器系统专利登记公告

专利名称：一种芯片复位方法、芯片和双倍速率存储器系统

摘要：本发明公开了一种芯片复位方法、芯片和双倍速率存储器系统，包括，接收输入信号，生成复位信号；对芯片中除双倍速率存储控制器物理层以外的功能模块执行复位操作，并根据复位信号和处理器写入的指示信号，生成复位控制信号；根据所述复位控制信号，对双倍速率存储控制器物理层执行复位操作。实施本发明实施例，可以很好的避免硬复位情况下片外DDR器件挂死的问题，并且仅对硬件进行改进，在复位时不需要软件和硬件的交互，避免了软件和硬件的交互风险，提高了芯片的稳定性，避免了软复位的长时间响应，缩短了复位时间。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010139831.9

专利申请（专利权）人：华为技术有限公司

专利发明（设计）人：祝利勇;黄卫华;荆涛

主权项：一种芯片复位方法，其特征在于，包括：接收输入信号，生成复位信号；对芯片中除双倍速率存储控制器物理层以外的功能模块执行复位操作，并根据复位信号和处理器写入的指示信号，生成复位控制信号；根据所述复位控制信号，对双倍速率存储控制器物理层执行复位操作。

专利地区：广东