降低热载流子效应的P型横向绝缘栅双极型器件专利登记公告

专利名称：降低热载流子效应的P型横向绝缘栅双极型器件

摘要：一种降低热载流子效应的P型横向绝缘栅双极型器件，包括：N型衬底，在N型衬底上设有埋氧，在埋氧上设有N型外延层，在N型外延层上设有P型阱和N阱区，在P型阱上设有P型缓冲阱，在P型缓冲阱上设有N型阳区，在N阱区上设有P型阴区和N型体接触区，而场氧化层，金属层，栅氧化层，多晶硅栅以及氧化层设置在所述器件的上表面，其特征在于在N阱区的下部、埋氧之上设有N型埋层，且插入N型外延层一部分，与N阱区整体构成反向的“L”型N区，这种结构可以将器件的电子电流引向底部，降低了器件沟道区的离子产生率和纵向电场，同时降低了热电子

专利类型：发明专利

专利号：CN201010146507.X

专利申请（专利权）人：东南大学

专利发明（设计）人：钱钦松;刘斯扬;孙伟锋;毛宁;陆生礼;时龙兴

主权项：一种降低热载流子效应的P型横向绝缘栅双极型器件，包括：N型衬底(1)，在N型衬底(1)上设有埋氧(2)，在埋氧(2)上设有N型外延层(3)，N型外延层(3)左边设有P型阱(4)，右边设有N阱区(13)，P型阱(4)和N阱区(13)之间仍有N型外延层(3)隔离。在P型阱(4)上设有P型缓冲阱(5)，在P型缓冲阱(5)上设有N型阳区(6)，在N阱区(13)上设有P型阴区(12)和N型体接触区(11)，在N型外延层(3)的表面设有栅氧化层(10)且栅氧化层(10)自P型阴区(12)开始延伸至P型阱(4)，在N型

专利地区：江苏