制备Mn掺杂β-FeSi₂薄膜的工艺方法专利登记公告

专利名称：制备Mn掺杂β-FeSi₂薄膜的工艺方法

摘要：本发明公开了一种磁控溅射方法制备Mn掺杂β-FeSi2薄膜的工艺方法，其特征在于：它包括以下过程：第一，清洗Si片；第二，采用磁控溅射方法，在Si片衬底上沉积Mn/Fe或Fe/Mn双层膜，或Fe/Mn/Fe多层膜，通过控制各层溅射速率和膜层厚度来控制Mn的含量，使Mn取代Fe含量在1％-5％之间；第三，将磁控溅射沉积的Mn/Fe或Fe/Mn双层膜或Fe/Mn/Fe多层膜在真空退火炉中退火，获得Mn掺杂的β-FeSi2薄膜。通过XRD测量表明，该掺杂不改变β-FeSi2的晶体结构。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010148152.8

专利申请（专利权）人：贵州大学

专利发明（设计）人：谢泉;张晋敏;肖清泉;曾武贤;梁艳;王衍;马道京

主权项：一种制备Mn掺杂β-FeSi2薄膜的工艺方法，其特征在于：它包括以下过程：第一，清洗Si片；第二，采用磁控溅射方法，在Si片衬底上沉积Mn/Fe或Fe/Mn双层膜，或Fe/Mn/Fe多层膜，通过控制各层溅射速率和膜层厚度来控制Mn的含量，使Mn取代Fe含量在1％-5％之间；第三，将磁控溅射沉积的Mn/Fe或Fe/Mn双层膜或Fe/Mn/Fe多层膜在真空退火炉中退火，获得Mn掺杂的β-FeSi2 薄膜。

专利地区：贵州