一种半导体器件结构及其制备方法专利登记公告

专利名称：一种半导体器件结构及其制备方法

摘要：本发明公开了一种浮栅非挥发半导体存储器及其制备方法。所述浮栅非挥发半导体存储器包括半导体衬底、源极区域和漏极区域、隧道绝缘层、第一多晶硅层、阻挡绝缘层、第二多晶硅层和第一金属层。所述源极区域及漏极区域包括由肖特基结和P-N结混合形成的半导体结。本发明所述的浮栅非挥发半导体存储器的编程模式为源极区域热电子注入模式，具有热电子注入效率高、编程电压低、编程速度快、功耗低及源漏泄漏电流小等优点。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010148285.5

专利申请（专利权）人：复旦大学

专利发明（设计）人：吴东平;张世理;葛亮

主权项：一种浮栅非挥发半导体存储器，其包括半导体衬底、源极区域、漏极区域、依次形成在所述半导体衬底上的隧道绝缘层、第一多晶硅层、阻挡绝缘层和第二多晶硅层，其特征在于：所述源极区域和所述漏极区域均包括混合的半导体结，所述的混合半导体结由肖特基结和P-N结混合组成。

专利地区：上海