基于金锡共晶的谐振型压力传感器芯片局部真空封装方法专利登记公告

专利名称：基于金锡共晶的谐振型压力传感器芯片局部真空封装方法

摘要：本发明涉及一种基于金锡共晶的谐振型压力传感器芯片局部真空封装方法。本发明方法采用电镀和溅射淀积Sn/Au层，利用金锡合金在加热时的等温凝固和共晶反应，来实现局部真空封装，能使局部真空封装的成品率达到99％。与常规铅锡共晶烧结和硅玻璃的局部真空封装方法相比，具有金锡层的厚度均匀性好、传感器芯片的使用寿命提高等特点，是一种新颖的的芯片局部真空封装方法。本发明方法适用于微电子机械系统(MEMS)可动部件的局部真空封装领域。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010151647.6

专利申请（专利权）人：中国电子科技集团公司第二十四研究所

专利发明（设计）人：张志红;熊化兵;何开全;朱虹娇;赵光辉;李茂松;胡琼

主权项：一种基于金锡共晶的谐振型压力传感器芯片局部真空封装方法，其特征在于，该方法步骤包括：(1)在待进行背面深槽腐蚀和正面释放可动部件的传感器硅片上，形成厚度为3-10μm、环宽为100-200μm的TiW/Au环和进行深槽腐蚀和释放可动部件；(2)在用于局部真空封装的上盖板硅片上，形成厚度为3-10μm、环宽为100-200μm的TiW/Au/Sn/Au环；(3)将划片后、带有TiW/Au环的传感器芯片与带有TiW/Au/Sn/Au环的上盖板芯片，通过上下环对接，真空加热，等温凝固和共晶键合，形成一个密闭真空

专利地区：重庆