一种具有二维光子晶体的发光二极管专利登记公告

专利名称：一种具有二维光子晶体的发光二极管

摘要：一种具有二维光子晶体的发光二极管，它涉及具有光子晶体的发光二极管。本发明解决现有发光二极管出光效率低，及利用传统刻蚀、光刻或者压印技术对半导体有源层具有损伤，导致非辐射复合增加的问题。本发明发光二极管，包括衬底、缓冲层、N型掺杂半导体层、有源层、P型掺杂半导体层、电流扩散层、P型电极和N型电极，其中在N型掺杂半导体层与空气的界面上，以及P型掺杂半导体层与空气的界面上覆盖二维光子晶体层，二维光子晶体层为单层微球有序排列结构，微球粒径50nm～5μm。二维光子晶体层改善半导体层与外界的折射律差值，利用弱光子晶

专利类型：发明专利

专利号：CN201010152183.0

专利申请（专利权）人：哈尔滨工业大学

专利发明（设计）人：李垚;詹耀辉;赵九蓬;丁艳波;葛邓腾

主权项：一种具有二维光子晶体的发光二极管，包括衬底（1）、缓冲层（2）、N型掺杂半导体层（3）、有源层（4）、P型掺杂半导体层（5）、电流扩散层（6）、P型电极（7）和N型电极（8），P型电极（7）通过电流扩散层（6）与P型掺杂半导体层（5）相接，N型电极（8）直接与N型掺杂半导体层（3）相接，其特征在于在N型掺杂半导体层（3）与空气的界面上，以及P型掺杂半导体层（5）与空气的界面上覆盖有二维光子晶体层（9），二维光子晶体层（9）为单层微球有序排列结构，微球的粒径为0.05μm～5μm。

专利地区：黑龙江