一种使用光电子注入进行电导调制的功率器件与方法专利登记公告

专利名称：一种使用光电子注入进行电导调制的功率器件与方法

摘要：本发明属于半导体器件技术领域，具体公开了一种使用光电子注入进行电导调制的功率器件与方法。该功率器件包括至少一个光电子注入光源和一个功率MOS晶体管。本发明采用光电子注入的方法向功率MOS晶体管栅极下方的漂移区注入载流子，进行电导调制，从而可以降低功率MOS晶体管的特征导通电阻，同时，因为漂移区的掺杂浓度可以得到降低，阻断电压可以提高，从而大大提高了功率MOS晶体管的性能，使得功率MOS晶体管的应用拓展到高电压领域内。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010153505.3

专利申请（专利权）人：复旦大学

专利发明（设计）人：王鹏飞;孙清清;丁士进;张卫

主权项：一种使用光电子注入进行电导调制的功率器件，其特征在于，该功率器件包括至少一个光电子注入光源和一个功率MOS晶体管。

专利地区：上海