沟槽式金属氧化物半导体晶体管专利登记公告

专利名称：沟槽式金属氧化物半导体晶体管

摘要：本发明公开了一种沟槽式金属氧化物半导体晶体管，所述沟槽式金属氧化物半导体晶体管包括：半导体衬底；依次形成于所述半导体衬底中的外延层和沟道区；形成于所述半导体衬底中的多个凹槽；形成于所述多个凹槽中的栅极；形成于所述凹槽与栅极之间的栅极介质层；形成于对应的沟道区内并位于凹槽两侧的源极区；形成于所述半导体衬底上的绝缘层；贯穿所述绝缘层并伸入到对应的源极区内和对应的沟道区内的源极接触插塞；贯穿所述绝缘层的栅极接触插塞，所述栅极接触插塞的底端面与所对应的栅极的顶端面齐平，本发明可提高半导体器件的稳定性。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010153755.7

专利申请（专利权）人：上海宏力半导体制造有限公司

专利发明（设计）人：李乐;王立斌;汪洋;彭树根

主权项：一种沟槽式金属氧化物半导体晶体管，包括：半导体衬底；依次形成于所述半导体衬底中的外延层和沟道区；形成于所述半导体衬底中的多个凹槽；形成于所述多个凹槽中的栅极；形成于所述凹槽与所述栅极之间的栅极介质层；形成于对应的沟道区内并位于所述凹槽两侧的源极区；形成于所述半导体衬底上的绝缘层；贯穿绝缘层并伸入到对应的源极区内和对应的沟道区内的源极接触插塞；贯穿所述绝缘层的栅极接触插塞，所述栅极接触插塞的底端面与所对应的栅极的顶端面齐平。

专利地区：上海