高功率非对称宽波导980nm半导体激光器结构专利登记公告

专利名称：高功率非对称宽波导980nm半导体激光器结构

摘要：一种高功率非对称宽波导980nm半导体激光器结构，包括：一衬底，为(100)面的N型镓砷材料，该衬底用于在其上外延生长激光器各层材料；一缓冲层，为N-镓砷材料，该缓冲层制作在衬底上；一N型下限制层，为N-铝镓砷材料，该N型下限制层制作在缓冲层上；一下波导层，为N-铝镓砷材料，该下波导层制作在下限制层上；一下垒层，为镓砷磷材料，该下垒层制作在下波导层上；一量子阱层，该量子阱层制作在下垒层上；一上垒层，该上垒层制作在量子阱层上；一上波导层，该上波导层制作在上垒层上；一P型上限制层，为P-铝镓砷材料，该P型上限

专利类型：发明专利

专利号：CN201010157501.2

专利申请（专利权）人：中国科学院半导体研究所

专利发明（设计）人：王冠;王俊;崇锋;马骁宇

主权项：一种高功率非对称宽波导980nm半导体激光器结构，包括：一衬底，为(100)面的N型镓砷材料，该衬底用于在其上外延生长激光器各层材料；一缓冲层，为N-镓砷材料，该缓冲层制作在衬底上；一N型下限制层，为N-铝镓砷材料，该N型下限制层制作在缓冲层上；一下波导层，为N-铝镓砷材料，该下波导层制作在下限制层上；一下垒层，为镓砷磷材料，该下垒层制作在下波导层上；一量子阱层，该量子阱层制作在下垒层上；一上垒层，该上垒层制作在量子阱层上；一上波导层，该上波导层制作在上垒层上；一P型上限制层，为P-铝镓砷材料，该P型上限

专利地区：北京