一种GaAs基半导体激光器的腔面钝化方法专利登记公告

专利名称：一种GaAs基半导体激光器的腔面钝化方法

摘要：本发明公开了一种GaAs基半导体激光器的腔面钝化方法，包括：将解理好的激光器bar条放入硫化氨溶液中浸泡，对激光器bar条进行钝化处理，并在激光器bar条的前腔面和后腔面上沉积一层硫钝化层；用去离子水冲洗bar条，并用丙酮、异丙醇脱水后再用氮气吹干，然后装上镀膜架，放入MOCVD仪器中；对MOCVD仪器抽真空，开烘烤加热，并通入保护气体；先升高衬底温度，将硫钝化层中的非晶硫层升华，然后通入生长源，在硫饨化层上外延生长一层ZnSe钝化保护薄膜；降温后取出镀膜架，再放入镀膜机中，在激光器bar条的钝化保护薄膜

专利类型：发明专利

专利号：CN201010157652.8

专利申请（专利权）人：中国科学院半导体研究所

专利发明（设计）人：胡理科;熊聪;祁琼;王冠;马骁宇;刘素平

主权项：一种GaAs基半导体激光器的腔面钝化方法，其特征在于，该方法包括：步骤1：将解理好的激光器bar条放入硫化氨溶液中浸泡，对激光器bar条进行钝化处理，并在激光器bar条的前腔面和后腔面上沉积一层硫钝化层；步骤2：用去离子水冲洗bar条，并用丙酮、异丙醇脱水后再用氮气吹干，然后装上镀膜架，放入MOCVD仪器中；步骤3：对MOCVD仪器抽真空，开烘烤加热，并通入保护气体；步骤4：先升高衬底温度，将硫钝化层中的非晶硫层升华，然后通入生长源，在硫钝化层上外延生长一层ZnSe饨化保护薄膜；步骤5：降温后取出镀膜架，

专利地区：北京