微机电系统压电双晶片的制备方法专利登记公告

专利名称：微机电系统压电双晶片的制备方法

摘要：一种MEMS技术领域的微机电系统压电双晶片的制备方法，包括：使用微加工工艺制备压电双晶片基片；在已制备的基片上、下表面，使用提拉法制备PZT薄膜；在已制备的压电双晶片上下两面镀金或银电极；使用激光修整压电双晶片；极化上下两层压电薄膜。本发明制备MEMS压电双晶片的方法，具有制备简单、成本低，并集成MEMS制造工艺等特点，有利于MEMS压电器件的制作及应用。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010157876.9

专利申请（专利权）人：上海交通大学

专利发明（设计）人：刘景全;唐刚;李以贵;杨春生;柳和生

主权项：一种微机电系统压电双晶片的制备方法，其特征在于，包括步骤如下：第一步、使用微加工工艺制备压电双晶片基片；第二步、在已制备的基片上、下表面，使用提拉法制备PZT薄膜；第三步、在已制备的压电双晶片上下两面镀金或银电极；第四步、使用激光修整压电双晶片；第五步，极化上下两层压电薄膜。

专利地区：上海