SCR静电保护器件专利登记公告

专利名称：SCR静电保护器件

摘要：本发明提供了一种SCR静电保护器件，包括：P阱和N阱，位于衬底内，所述P阱和所述N阱相连；第一P型注入区和第一N型注入区，位于所述P阱内，所述第一P型注入区和所述第一N型注入区之间用浅沟槽隔离；第二P型注入区和第二N型注入区，位于所述N阱内，所述第二P型注入区和所述第二N型注入区之间用浅沟槽隔离；第一电阻，其一端连接于所述第一P型注入区；第二电阻，其一端连接于所述第二N型注入区。本发明提供的SCR静电保护器件可以有效的降低器件的触发电压，而不影响其保护能力，使得SCR器件更早更容易触发，因而能够得到更好的

专利类型：发明专利

专利号：CN201010164926.6

专利申请（专利权）人：上海宏力半导体制造有限公司

专利发明（设计）人：胡剑

主权项：一种SCR静电保护器件，包括：P阱和N阱，位于衬底内，所述P阱和所述N阱相连；第一P型注入区和第一N型注入区，位于所述P阱内，所述第一P型注入区和所述第一N型注入区之间用浅沟槽隔离；第二P型注入区和第二N型注入区，位于所述N阱内，所述第二P型注入区和所述第二N型注入区之间用浅沟槽隔离；其特征在于所述保护器件还包括：第一电阻，其一端连接于所述第一P型注入区；第二电阻，其一端连接于所述第二N型注入区。

专利地区：上海