利用四氯化硅低温水解沉淀生产二氧化硅的方法专利登记公告

专利名称：利用四氯化硅低温水解沉淀生产二氧化硅的方法

摘要：本发明公开了一种利用四氯化硅低温水解沉淀生产二氧化硅的方法，属硅的化合物技术领域。它是将配制成的钠盐溶液加入密闭反应釜中再加入四氯化硅，反应后调节pH值于8-9；将反应物进行固液分离，分离后的盐水浓缩干燥后，为氯化钠成品；固体二氧化硅经洗涤去除氯化钠残留；洗涤的水配制成盐水循环使用；洗涤后的二氧化硅经干燥为二氧化硅成品。本发明在密闭条件下进行，工艺简单、安全可靠、能耗低、处理量大、无污染、投资小。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010164963.7

专利申请（专利权）人：李平

专利发明（设计）人：李平

主权项：一种利用四氯化硅低温水解沉淀生产二氧化硅的方法，依次包括如下步骤：A、配制分散剂：将钠盐加入水中，配制成30％-40％比重浓度的溶液；B、低温水解：在密闭反应釜中加入上述配制好的分散剂，再加入四氯化硅进行水解反应，在常温条件下四氯化硅水解生成聚硅酸和盐酸；C、沉淀反应：聚硅酸和盐酸溶液中加入氢氧化钠，并调节PH值于8-9；聚硅酸与氢氧化钠反应生成二氧化硅沉淀和水；盐酸和氢氧化钠反应生成氯化钠和水；D、固液分离：将二氧化硅沉淀和盐水在离心机中进行固液分离，分离后的盐水部分浓缩干燥后，计量包装即为氯化钠成品；

专利地区：四川