一种氟硅氧聚合物本体阴离子开环聚合反应挤出合成方法专利登记公告

专利名称：一种氟硅氧聚合物本体阴离子开环聚合反应挤出合成方法

摘要：本发明涉及一种氟硅氧聚合物本体阴离子开环聚合反应挤出合成方法，将单体、引发剂、极性调节剂、乙烯基环状单体、封端剂分别送入螺杆挤出机的不同螺段进行聚合，并且在聚合完成后适当的螺段将极性调节剂、引发剂分解产物以及副产物减压脱除，即可获得不同类型的氟硅聚合物。与现有技术相比，本发明采用反应挤出技术，生产周期缩短到数分钟，不需进行复杂的溶剂分离，提纯。具有效率高、能耗小、成本低、无污染、生产连续、品质高且稳定，同时还可以获得不同结构共聚物等优越性，具有很好的社会效益和经济效益，工业化前景十分良好。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010165022.5

专利申请（专利权）人：华东理工大学

专利发明（设计）人：郑安呐;杨鹏;管涌;危大福;高亚娟;李书召;胡福增;王书忠

主权项：一种氟硅氧聚合物本体阴离子开环聚合反应挤出合成方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：将单体、引发剂、极性调节剂、乙烯基环状单体、封端剂分别送入螺杆挤出机的不同螺段进行聚合，并且在聚合完成后适当的螺段将极性调节剂、引发剂分解产物以及副产物减压脱除，即可获得不同类型的氟硅聚合物。

专利地区：上海