一种用于横向诱导晶化低温多晶硅薄膜的多层膜结构专利登记公告

专利名称：一种用于横向诱导晶化低温多晶硅薄膜的多层膜结构

摘要：本发明提供一种用于横向诱导晶化低温多晶硅薄膜的多层膜结构，包括：衬底；位于该衬底上的非晶硅薄膜；位于该非晶硅薄膜上的低温氧化物层；穿透所述低温氧化物层且暴露出所述非晶硅薄膜的凹槽；位于所述暴露的非晶硅表面上的薄膜；其中，所述薄膜由镍硅氧化物制成。采用SR-Ni/Si氧化物作为薄膜材料，可有效地减少多晶硅膜中的镍残留，非常适合于MILC制作多晶硅。同时，在制作多晶硅物质时所允许的工艺误差也相对大，不仅提供了更宽的工艺窗口，还防止了不同的工艺参数对多晶硅TFT的影响。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010175524.6

专利申请（专利权）人：广东中显科技有限公司

专利发明（设计）人：赵淑云

主权项：一种用于横向诱导晶化低温多晶硅薄膜的多层膜结构，包括：衬底；位于该衬底上的非晶硅薄膜；位于该非晶硅薄膜上的低温氧化物层；穿透所述低温氧化物层且暴露出所述非晶硅薄膜的凹槽；位于所述暴露的非晶硅表面上的薄膜；其中，所述薄膜由镍硅氧化物制成。

专利地区：广东