Cu₂CdSnSe₄纳米晶的制备方法专利登记公告

专利名称：Cu₂CdSnSe₄纳米晶的制备方法

摘要：本发明公开了一种低成本、高质量的Cu2CdSnSe4纳米晶的制备方法，该方法是通过将反应物前驱体油胺、乙酰丙酮酸铜、醋酸镉、醋酸锡和硒粉加入反应烧瓶中，然后升高温度进行反应，最终得到高质量的Cu2CdSnSe4纳米晶。本发明的优点在于：纳米晶的制备方法简单，所用前驱体材料成本低廉，制备的纳米晶颗粒分散性、结晶性较好等。该发明制备的纳米晶可作为热电器件材料。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010175651.6

专利申请（专利权）人：中国科学院上海技术物理研究所

专利发明（设计）人：刘玉峰;陈鑫;葛美英;吴杰;孙艳;戴宁

主权项：一种Cu2CdSnSe4纳米晶的制备方法，其特征在于制备方法如下：依次将反应物前驱体20-200mmol油胺、0.5-5mmol乙酰丙酮酸铜、0.25-2.5mmol醋酸镉、0.25-2.5mmol醋酸锡和1-10mmol硒粉加入三口圆底烧瓶反应器中，在氩气氛围中升高温度至前躯体全部溶解，然后将反应温度升高到250-370℃反应1-60分钟，停止反应后再向冷却后的反应产物中加入甲醇使纳米粒子沉降；最后以3000-14000转/min的速度离心1-10分钟收集纳米晶。

专利地区：上海