一种硅铍石型钼基钨基超低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法专利登记公告

专利名称：一种硅铍石型钼基钨基超低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法

摘要：本发明公开了一种硅铍石型钼基钨基超低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法。以结构通式A2BO4为基础，选取低价态Li+1离子占据A位，高价态的Mo6+和W6+复合阳离子占据B位，通过传统固相反应烧结的方法，得到了一系列可以在540oC~640oC超低温度范围内烧结，微波介电常数低（5.3≤εr≤5.5）、谐振频率温度系数可调（-133ppm/oC≤TCF≤-149ppm/oC）且微波介电损耗低（高品质因数Qf值，37,000GHz≤Qf≤63,400GHz）的陶瓷材料。其具体结构表达式为：Li2(Mo1-x

专利类型：发明专利

专利号：CN201010192027.7

专利申请（专利权）人：西安交通大学

专利发明（设计）人：周迪;汪宏;姚熹;庞利霞;吴新光;郭靖;张高群

主权项：一种硅铍石型钼基钨基超低温烧结微波介质陶瓷材料，其特征在于：该陶瓷材料结构表达式为：Li2(Mo1-xWx)O4, 式中0.0

专利地区：陕西