一种用于半导体气相光电性能高通量测试的芯片及装置专利登记公告

专利名称：一种用于半导体气相光电性能高通量测试的芯片及装置

摘要：本发明公开了一种用于半导体气相光电性能高通量测试的芯片及装置，芯片底层为氧化铝陶瓷基片，电极阵列和电极引脚分别通过丝网印刷的方法印制在基片表面和两侧，每个电极上通过喷墨打印或者丝网印刷的方法印有半导体光电材料。装置包括封闭测试腔体和LED光源，底板上带有用于放置芯片的凸台，簧片与芯片电极引脚为压合式接触。芯片上的电极阵列的集成度可以根据不同的需求进行改动，可扩展性强。装置可以方便的改变光源的波长、光照强度、气氛、湿度、偏置电压等各种测试条件，从而获得丰富的测试结果，建立完善的数据库。并且整个装置结构简单小

专利类型：发明专利

专利号：CN201010243856.3

专利申请（专利权）人：华中科技大学

专利发明（设计）人：谢长生;刘源;陈浩;李华曜;曾大文

主权项：一种用于半导体气相光电性能的高通量测试的芯片，其特征在于，芯片(1)的底层为氧化铝陶瓷基片(1?1)，电极阵列(1?2)通过丝网印刷的方法印制在氧化铝陶瓷基片(1?1)的表面，电极引脚(1?3)通过丝网印刷的方法印制在氧化铝陶瓷基片(1?1)的两侧，在电极阵列(1?2)的每个电极上通过喷墨打印或者丝网印刷的方法印制有各种待测试的半导体光电材料(1?4)。

专利地区：湖北