一种沟槽垂直MOS结构半导体装置及其制造方法专利登记公告

专利名称：一种沟槽垂直MOS结构半导体装置及其制造方法

摘要：本发明公开了一种沟槽垂直MOS结构半导体装置，沟槽内壁部分生长有栅氧，沟槽内填充有多晶硅，沟槽边侧的硅体内从上往下设置有漏区、体区和源区；本发明还提供一种沟槽垂直MOS结构半导体装置的制造方法。本发明的半导体装置是超级势垒整流器的基础结构，应用本发明的半导体装置和制造方法制造的超级势垒整流器，可以省略常规工艺中的部分光刻工艺，缩小了元胞版图面积，缩短了生产周期，同时器件漏区可以使用自对准方法形成，提高了器件的可靠性。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010517943.3

专利申请（专利权）人：朱江

专利发明（设计）人：朱江

主权项：一种沟槽垂直MOS结构半导体装置，沟槽内壁生长有栅氧，沟槽内填充有多晶硅，沟槽边侧的硅体内从上往下设置有漏区、体区和源区，其特征在于：a)漏区的杂质浓度分布从沟槽边侧的硅体向水平远离沟槽方向上连续逐渐降低；b)沟槽内壁的底部和侧壁的下部具有栅氧，沟槽侧壁的上部没有栅氧工艺形成的栅氧。

专利地区：浙江