一种计算CMP研磨垫使用寿命的方法专利登记公告

专利名称：一种计算CMP研磨垫使用寿命的方法

摘要：本发明提供一种计算CMP研磨垫使用寿命的方法，包括步骤：第一步，设定研磨垫使用寿命T；第二步，计算研磨垫实际研磨时间T′；第三步，当T′＝T时，更换研磨垫，所述实际研磨时间T′＝(T1*N1*R1+T2*N2*R2+......+Tn*Nn*Rn)*Nx*Rx，其中T1，T2，......，Tn分别代表各晶片的研磨时间，N1，N2，......，Nn分别代表各晶片研磨时的压力，R1，R2，......，Rn分别代表各晶片研磨时的转速，Nx代表压力影响因子，Rx代表转速影响因子。本发明将晶片研磨中的压力和转

专利类型：发明专利

专利号：CN201010578008.8

专利申请（专利权）人：无锡华润上华科技有限公司

专利发明（设计）人：李健;胡骏

主权项：一种计算CMP研磨垫使用寿命的方法，包括步骤：第一步，设定研磨垫使用寿命T；第二步，计算研磨垫实际研磨时间T′；第三步，当T′＝T时，更换研磨垫，其特征在于：所述实际研磨时间T′＝(T1*N1*R1+T2*N2*R2+......+Tn*Nn*Rn)*Nx*Rx，其中T1，T2，......，Tn分别代表各晶片的研磨时间，N1，N2，......，Nn分别代表各晶片研磨时的压力，R1，R2，......，Rn分别代表各晶片研磨时的转速，Nx代表压力影响因子，Rx代表转速影响因子。

专利地区：江苏