半导体器件的埋层制造方法专利登记公告

专利名称：半导体器件的埋层制造方法

摘要：本发明公开了一种半导体器件的埋层制造方法，包括如下步骤：第1步，在硅片表面淀积一层氮氧化硅。所述硅片表面之上已经具有ONO层，ONO层两侧下方的硅片中已经各具有一个沟槽。第2步，采用干法刻蚀工艺去除部分氮氧化硅，仅保所述沟槽底部的氮氧化硅。第3步，在硅片表面旋涂一层负性光刻胶。第4步，采用光刻工艺对负性光刻胶进行全部曝光、显影后，硅片上形成了两个离子注入窗口。每个离子注入窗口就是底部具有氮氧化硅的沟槽。第5步，在所述两个离子注入窗口中进行离子注入，在沟槽的底部下方的硅片中形成埋层。本发明可以减少锗硅器件的

专利类型：发明专利

专利号：CN201010578347.6

专利申请（专利权）人：上海华虹NEC电子有限公司

专利发明（设计）人：孟鸿林;王雷;郭晓波;苏波

主权项：一种半导体器件的埋层制造方法，其特征是，包括如下步骤：第1步，在硅片表面淀积一层氮氧化硅；所述硅片表面之上已经具有ONO层，ONO层两侧下方的硅片中已经各具有一个沟槽；第2步，采用干法刻蚀工艺去除部分氮氧化硅，仅保所述沟槽底部的氮氧化硅；第3步，在硅片表面旋涂一层负性光刻胶；第4步，采用光刻工艺对负性光刻胶进行全部曝光、显影后，硅片上形成了两个离子注入窗口；每个离子注入窗口就是底部具有氮氧化硅的沟槽；第5步，在所述两个离子注入窗口中进行离子注入，在沟槽的底部下方的硅片中形成埋层。

专利地区：上海