一种用于声表面波传感器的半导体薄膜的成膜方法专利登记公告

专利名称：一种用于声表面波传感器的半导体薄膜的成膜方法

摘要：本发明公开了一种用于声表面波传感器的半导体薄膜的成膜方法，该方法包括：制备半导体氧化物溶胶和聚吡咯溶液，并将二者混合，经过剧烈搅拌及过滤后得到用于成膜的混合溶液；以及对基片进行清洁及干燥处理，将处理后的基片浸入该用于成膜的混合溶液中，取出后用去离子水洗涤并用氮气吹干。利用本发明，可自组装淀积聚吡咯掺杂半导体氧化物的敏感膜，使传感器件制作工艺大大简化。并且，该方法成本小，膜厚可控，重复性好，简单易行。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010578565.X

专利申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所

专利发明（设计）人：叶甜春;闫学锋;李冬梅;刘明;侯成诚;周文;汪幸;谢常青;霍宗亮;张满红;龙世兵

主权项：一种用于声表面波传感器的半导体薄膜的成膜方法，其特征在于，该方法包括：制备半导体氧化物溶胶和聚吡咯溶液，并将二者混合，经过剧烈搅拌及过滤后得到用于成膜的混合溶液；以及对基片进行清洁及干燥处理，将处理后的基片浸入该用于成膜的混合溶液中，取出后用去离子水洗涤并用氮气吹干。

专利地区：北京