环栅场效应晶体管的制备方法专利登记公告

专利名称：环栅场效应晶体管的制备方法

摘要：本申请公开了一种环栅场效应晶体管的制造方法，包括：在半导体衬底上形成悬空鳍片；在所述鳍片的四周形成栅堆叠结构；在所述栅堆叠结构两侧的鳍片中形成源/漏结构；其中，与所述鳍片和栅堆叠结构的底部相邻的半导体衬底中包括隔离介质层。本发明在体硅衬底上制备环栅场效应晶体管，消除了SOI器件存在的自加热效应和浮体效应，具有更低的成本，采用传统的基于准平面的自顶向下工艺实现了与CMOS平面工艺的良好兼容，并且易于集成，有利于抑制短沟道效应，推动MOSFETs尺寸往小尺寸方向发展。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010578678.X

专利申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所

专利发明（设计）人：周华杰;宋毅;徐秋霞

主权项：一种环栅场效应晶体管的制备方法，包括：在半导体衬底上形成悬空鳍片；在所述鳍片的四周形成栅堆叠结构；在所述栅堆叠结构两侧的鳍片中形成源/漏结构；其中，与所述鳍片及栅堆叠结构的底部相邻的半导体衬底中包括隔离介质层。

专利地区：北京