等离子体离子源的发生装置专利登记公告

专利名称：等离子体离子源的发生装置

摘要：一种应用于质谱仪的等离子体离子源的发生装置，包括：等离子体发生腔体，包括作为等离子体发生区的腔室；高压射频源，包括电源以及设于所述等离子体发生腔体外表面的射频电极；与所述等离子体发生腔体相通的传输结构，用于将样品气体和载气引入到所述等离子体发生腔体中；密封件，用于密封所述传输结构与所述等离子体发生腔体之间的连通，为所述等离子体发生腔体提供真空环境。相较于现有技术，本发明的等离子体离子源的发生装置，利用等离子体发生腔体，在低真空环境下可以产生出高密度的等离子体离子源。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010579490.7

专利申请（专利权）人：上海华质生物技术有限公司

专利发明（设计）人：陈应;徐国宾;杨芃原

主权项：一种等离子体离子源的发生装置，应用于质谱仪中，其特征在于，所述发生装置包括：等离子体发生腔体，包括作为等离子体发生区的腔室；高压射频源，包括电源以及设于所述等离子体发生腔体外表面的射频电极；与所述等离子体发生腔体相通的传输结构，用于将样品气体和载气引入到所述等离子体发生腔体中；密封件，用于密封所述传输结构与所述等离子体发生腔体之间的连通，为所述等离子体发生腔体提供真空环境。

专利地区：上海