快闪记忆体的操作方法专利登记公告

专利名称：快闪记忆体的操作方法

摘要：本发明是有关于一种快闪记忆体的操作方法，在所述操作方法中，多个储存位元中的一个储存位元具有数目为2n的程序位准时，将该储存位元四周相邻的储存位元设为具有数目为2n-1的程序位准；同样地，多个储存位元中的另一个储存位元具有数目为2n-1的程序位准时，将这个储存位元四周相邻的储存位元设为具有数目为2n的程序位准，其中每一程序位准对应于不同的临界电压分布。这样的程序位准模式能有效率地利用有效的程序位准而不增加工艺复杂度。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010584163.0

专利申请（专利权）人：旺宏电子股份有限公司

专利发明（设计）人：陈柏舟;卢道政;张耀文;杨怡箴

主权项：一种快闪记忆体的操作方法，其特征在于其是用于操作由排列成阵列的多个储存位元构成的一快闪记忆体，所述操作方法包括以下步骤：该多个储存位元中的一储存位元具有数目为2n的程序位准时，将该储存位元四周相邻的储存位元设为具有数目为2n?1的程序位准；以及该多个储存位元中的另一储存位元具有数目为2n?1的程序位准时，将该另一储存位元四周相邻的储存位元设为具有数目为2n的程序位准，其中每一程序位准对应于不同的临界电压分布。

专利地区：台湾