一种钛酸钡/聚偏氟乙烯复合介电薄膜及其制备方法专利登记公告

专利名称：一种钛酸钡/聚偏氟乙烯复合介电薄膜及其制备方法

摘要：本发明提供一种钛酸钡/聚偏氟乙烯复合介电薄膜及其制备方法，该薄膜由钛酸钡和聚偏氟乙烯构成，钛酸钡与聚偏氟乙烯的质量比为1.5～5.0∶1，薄膜的厚度小于50μm。在100Hz～1MHz的频率范围内，该薄膜的相对介电常数可达70以上，介电损耗低于5×10-2。本发明采用BaTiO3陶瓷与PVDF聚合物相复合，来制备介电常数较高、介电损耗较低的介电薄膜材料。采用固相反应法或化学共沉淀法制备钛酸钡陶瓷粉体，然后再采用高温干燥凝胶法或溶剂致相分离凝胶法制备得到陶瓷颗粒分布均匀、厚度可控、具有较高的介电常数和较低的

专利类型：发明专利

专利号：CN201010588330.9

专利申请（专利权）人：北京有色金属研究总院

专利发明（设计）人：崔建东;毛昌辉;杨剑;刘坤

主权项：一种钛酸钡/聚偏氟乙烯复合介电薄膜，其特征在于，该薄膜由钛酸钡和聚偏氟乙烯构成，钛酸钡与聚偏氟乙烯的质量比为1.5～5.0∶1，薄膜的厚度小于50μm。

专利地区：北京