片外存储器的总线动态调频方法及其系统专利登记公告

专利名称：片外存储器的总线动态调频方法及其系统

摘要：本发明涉及片上系统，公开了一种片外存储器的总线动态调频方法及其系统。本发明中，利用SDRAM处于初始化的状态完成对SDRAM总线的频率调整。由于SDC控制器执行SDRAM初始化命令的操作确保了SOC芯片中的各CPU对于SDRAM存储器的访问处于挂起状态，系统的SDRAM总线进入空闲，而调整SDRAM总线的频率对于SDRAM初始化过程中没有影响。所以可以通过主动发起SDRAM初始化操作，实现对SDRAM总线的频率调整，使得SDRAM总线的动态调频，无需多个处理器之间进行复杂的软件交互，大大简化了SDRAM总

专利类型：发明专利

专利号：CN201010588349.3

专利申请（专利权）人：联芯科技有限公司

专利发明（设计）人：朱笠;史公正

主权项：一种片外存储器的总线动态调频方法，所述片外存储器基于多核片上系统SOC芯片，其特征在于，包含以下步骤：当SOC芯片中的中央处理器CPU需要对所述片外存储器的总线工作频率进行调整时，该CPU向所述片外存储器的控制器发送片外存储器初始化命令；所述片外存储器的控制器在接收到所述片外存储器初始化命令后，对所述片外存储器进行初始化；所述CPU在所述片外存储器进行初始化的过程中，对所述片外存储器的总线工作频率进行调整。

专利地区：上海