一种铬掺杂钛酸锶钡陶瓷电容器材料专利登记公告

专利名称：一种铬掺杂钛酸锶钡陶瓷电容器材料

摘要：本发明提供一种铬掺杂钛酸锶钡陶瓷电容器材料，主要有以下特点1.在固相反应中少量cr进入BST晶格形成固溶体，保持其立方钙钛矿结构.少量Cr掺杂可以促进晶粒生长，而掺杂量较高时晶粒反而减小且变得不均匀。2.当Cr掺杂量(摩尔分数)＜1.0％时，BST陶瓷的介电调谐性能和介电损耗均有所改善，当掺杂量为0.6％时，其综合性能最佳，在1MHz下的损耗可降到5×10-4以下，其FoM值可以达到500。3.低浓度Cr掺杂BST陶瓷介电损耗的显著降低，可以归因于Cr3+离子的还原与Cr3+和Cr2+离子的受主行为有效抑

专利类型：发明专利

专利号：CN201010588842.5

专利申请（专利权）人：颜欢

专利发明（设计）人：颜欢

主权项：一种铬掺杂钛酸锶钡陶瓷电容器材料，其特征在于固相反应中少量Cr进入BST晶格形成固溶体，保持其立方钙钛矿结构。少量Cr掺杂可以促进晶粒生长，而掺杂量较高时晶粒反而减小且变得不均匀。

专利地区：江苏