一种垂直磁各向异性薄膜及其制备方法专利登记公告

专利名称：一种垂直磁各向异性薄膜及其制备方法

摘要：本发明提供一种垂直磁各向异性薄膜，该垂直磁各向异性薄膜是进行了退火处理的[Co1-δOδ/Pt]n多层膜，0.25≤δ≤0.40；n是至少为1的整数。本发明还提供相应的制备方法，包括1)制备Co层；2)在Co层中引入少量氧形成Co1-δOδ层；3)在Co1-δOδ层上制备Pt层，形成[Co1-δOδ/Pt]n多层膜，n是至少为1的整数；4)对所制成的[Co1-δOδ/Pt]n多层膜进行退火处理。本发明具有大的垂直磁各向异性和非常好的热稳定性；抗腐蚀性非常好；可以支持厚度较大的相邻铁磁层，从而大大改善了垂直

专利类型：发明专利

专利号：CN201010593489.X

专利申请（专利权）人：中国科学院物理研究所

专利发明（设计）人：吕琴丽;蔡建旺

主权项：一种垂直磁各向异性薄膜的制备方法，包括下列步骤：1)制备Co层；2)在Co层中引入少量氧形成Co1?δOδ层，0.25≤δ≤0.40；3)在Co1?δOδ层上制备Pt层，形成Co1?δOδ/Pt层；4)在Co1?δOδ/Pt层上，重复执行所述步骤1)至3)n?1次，形成[Co1?δOδ/Pt]n多层膜，n是至少为1的整数；5)对所制成的[Co1?δOδ/Pt]n多层膜进行退火处理。

专利地区：北京