单晶硅生长用石英坩埚的两步制备法及装置专利登记公告

专利名称：单晶硅生长用石英坩埚的两步制备法及装置

摘要：本发明公开了一种单晶硅生长用的石英坩埚的两步制备法及装置.本发明第一步首选专利中请分号为201010204350.1，其单位时间产量很高的内热式由石英波巨皮玻璃连续电熔炉，按与一般连续电熔石英玻璃相近的工艺，熔制出与坩埚直径相同的石英玻璃管；第二步，将此管截断后，放在专用程控火焰收口封底装置上，采用与常用玻璃管材收口封底相似的工艺，进行收口封底，将管材制成坩埚.本发明制备的坩埚质量好；本发明的生长单晶硅石英坩埚的两步制备法，可大量生产坩埚，且节能，环保.可代替电弧法生产拉制单晶硅用的石英坩埚。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010593772.2

专利申请（专利权）人：罗万前

专利发明（设计）人：张洪齐

主权项：单晶硅生长用石英坩埚的两步制备法及装置，其特征在于：石英坩埚的制备分两步进行，第一步，利用石英玻璃连续电熔炉，拉制与坩埚直径相同的石英玻璃管；第二步，截断此管后，按一般石英玻璃管材用火焰加热收口封头相似的工艺，在专用火焰收口封底装置上，对截断的玻璃管进行火焰收口封底，封底后的制品即为所需的石英坩埚。

专利地区：四川