电容结构及其制造方法专利登记公告

专利名称：电容结构及其制造方法

摘要：本发明一种电容结构及其制造方法，所述电容结构包含：一个第一导体层、一介电层及一个第二导体层，该第一导体层具有一个第一金属材料与一个第二金属材料，该第一金属材料间形成有间隙，且该第二金属材料经由热熔填入所述间隙，如此，该第一导体层可通过其第一金属材料与一个第二金属材料相互间的热熔关达到可有效降低热处理温度，且该电容结构同时达到提高导电系数与增加整体强度的功效。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010595791.9

专利申请（专利权）人：镕钽科技有限公司

专利发明（设计）人：刘元文

主权项：一种电容结构，其特征在于，包括：一个第一导体层，具有第一金属材料与第二金属材料；一介电层，形成于该第一导体层上；及一个第二导体层，设于该介电层相对该第一导体层另一侧位置处。

专利地区：台湾