一种高热导率多层SiC单晶微波衰减材料及其制备方法专利登记公告
专利名称：一种高热导率多层SiC单晶微波衰减材料及其制备方法
摘要：一种高热导率多层SiC单晶复合微波衰减材料，由若干层具有高电阻率SiC层与高损耗SiC层交替复合而成，处于最外层的为高电阻率SiC层，其电阻率为104Ωm～108Ωm；高损耗SiC层为掺杂N的SiC层，其电阻率为10-3Ωm～101Ωm，高电阻率SiC层的热导率为250-410W/m·K。本发明采用PVT法，通过在晶体生长过程中周期性地通入不同的气氛，形成交替复合的高电阻率SiC层与高损耗SiC层，高电阻率SiC层作为导热层能将高损耗SiC层吸收微波所产生的热量迅速传递出去，而高损耗SiC层可通过控制生长
专利类型：发明专利
专利号：CN201010597291.9
专利申请（专利权）人：北京有色金属研究总院
专利发明（设计）人：杨志民;毛昌辉;杜军;杨立文;董茜
主权项：一种高热导率多层SiC单晶复合微波衰减材料，其特征在于，由若干层具有高电阻率SiC层与高损耗SiC层交替复合而成，处于最外层的为高电阻率SiC层，其电阻率为104Ωm～108Ωm；高损耗SiC层为掺杂N的SiC层，其电阻率为10?3Ωm～101Ωm。
专利地区：北京
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