高纯钽中痕量杂质的测定方法专利登记公告

专利名称：高纯钽中痕量杂质的测定方法

摘要：本发明涉及一种高纯钽中多个痕量杂质的测定方法，其步骤包括(1)配制钽样品溶液，其中钽样品含量为1～5g/L，HF为1～5vol％，硝酸为0.3～0.8vol％；(2)连接离子色谱、膜去溶装置和ICP-MS三装置，将制备好的样品溶液由浓缩泵泵入离子色谱的阳离子交换柱5分钟，杂质元素形成的阳离子吸附在交换柱，而基体钽形成的TaF72-或TaOF52-流经柱子不上柱，用氢氟酸淋洗交换柱，将柱子上残留的基体淋洗干净，启动联机工作程序，用硝酸洗脱吸附在阳离子交换柱(磺酸型阳离子交换柱)上的杂质，随同试样做空白试验。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010597964.0

专利申请（专利权）人：北京有色金属研究总院

专利发明（设计）人：李艳芬;童坚;刘英;张卓;佟伶;李满芝

主权项：一种高纯钽中多个痕量杂质的测定方法，其步骤如下：(1)配制钽样品溶液，其中钽样品含量为1～5g/L，HF为1～5vol％，硝酸为0.3～0.8vol％；(2)连接离子色谱、膜去溶装置和ICP?MS三装置，将制备好的样品溶液100ml由浓缩泵泵入离子色谱的阳离子交换柱5min，杂质元素形成的阳离子吸附在交换柱，而基体钽形成的TaF72?或TaOF52?流经柱子不上柱，用氢氟酸淋洗交换柱，将柱子上残留的基体淋洗干净，启动联机工作程序，用硝酸洗脱吸附在阳离子交换柱上的杂质，随同试样做空白试验。

专利地区：北京