一种发光二极管芯片结构专利登记公告

专利名称：一种发光二极管芯片结构

摘要：本发明公开了一种发光二极管芯片结构，该结构的P型半导体层之上设有绝缘阻隔结构；在所述绝缘阻隔结构上设有P型透明导电层，所述P型透明导电层将所述绝缘阻隔结构包裹；其P电极与所述P型透明导电层接触。其中，所述绝缘阻隔结构包括多个柱状绝缘结构或者为设有多个通孔的绝缘层。本发明的发光二极管芯片结构通过改善电流的扩展，提高电流的注入效率，从而提高了LED的亮度。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010599803.5

专利申请（专利权）人：上海蓝光科技有限公司

专利发明（设计）人：张楠;刘亚柱;陈诚;袁根如;郝茂盛

主权项：一种发光二极管芯片结构，包括：N型半导体层、位于所述N型半导体层之上的有源层、位于所述有源层之上的P型半导体层、与所述N型半导体层电连接的N电极以及与所述P型半导体层电连接的P电极，其特征在于：在所述P型半导体层之上设有绝缘阻隔结构；在所述绝缘阻隔结构上设有P型透明导电层，所述P型透明导电层将所述绝缘阻隔结构包裹；所述P电极与所述P型透明导电层接触。

专利地区：上海