单片光伏电池芯片的检测方法专利登记公告

专利名称：单片光伏电池芯片的检测方法

摘要：单片光伏电池芯片的检测方法。其检测方法，调整输入电流，曝光时间，存储路径，序列号，观察显示器上显示的单片光伏电池芯片图像，按性能分档的测试过程；所述的输入电流在1A～10A范围内，曝光时间在0.1s～25s范围内。其主要利用光伏电池芯片的电致发光原理来完成的，所以，光伏电池芯片电致发光图像直观的展现出了光伏电池芯片的扩散长度的分布特征，通过该图像的分析，可以有效的发现光伏电池芯片隐裂，断栅，材料不良，边缘短路等问题并通过测试得出光伏电池芯片性能特征进行分档，对太阳能电池组件提供优化的配置，增大了输出功率，

专利类型：发明专利

专利号：CN201010599855.2

专利申请（专利权）人：上海山晟太阳能科技有限公司

专利发明（设计）人：倪夜光

主权项：单片光伏电池芯片的检测方法，包括设定工作温度为25℃，湿度为60％的工作环境，配置单相电源220V，10A在内；其特征在于：其检测方法，调整单片光伏电池芯片的输入电流，曝光时间，存储路径，序列号，观察显示器上显示的单片光伏电池芯片图像，按性能分档的测试过程。

专利地区：上海